由 dawei
由于这些特点，生产EUV设备并不容易。EUV 设备的性能取决于镜头和反射镜的分辨率。分辨率通常与镜头像差 (NA) 成正比。出于这个原因，努力增加 NA 是绝对必要的。当NA值高时，分辨率提高，光线变得更清晰，可以实现更精细的半导体电路。
正是出于这个原因，ASML 收购了全球光学公司蔡司的股份。目前，EUV设备NA值为0.33。ASML 计划通过研发将下一代 EUV 设备的 NA 提高到 0.55。这称为高NA。
高 NA 可最大限度地减少光失真并允许更精细的电路实现。ASML 计划在 2023 年推出基于高数值孔径的 EUV 设备原型。下一代EUV设备的开发有望进一步巩固其在微纳制程半导体曝光设备市场的垄断地位。
随着半导体制造商将基础设施转向EUV设备，需求猛增，但供应却跟不上。即使有生产目标，不能按时交货也是很常见的。即便是现在，如果要采购ASML EUV设备，也要等上一年多。