据 AnandTech 消息，英特尔现已分享了一些有关其下一代 Intel 4 工艺的消息。
英特尔公布的数据显示，Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米，是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样，接触栅之间的间距现在为 50nm，低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍，或者更具体地说，晶体管的尺寸减少了一半。
此外，新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其 Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜，该公司认为出于晶体管寿命的原因，这是必要的。然而，从性能的角度来看，钴并没有那么好，长期以来人们一直怀疑钴是英特尔 Intel 7 的主要绊脚石之一。
性能方面，报道称在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的频率与 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时，等功率增益接近 10%。
英特尔称，Intel 4 在电源效率方面的收益更大。在等频（ 2.1 GHz 左右）下，Intel 4 的功耗降低了 40%。随着频率的增加，收益递减。
由 dawei
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